单晶硅巡操是用于监测硅单晶材料制备过程中掺杂物浓度分布的一种检测方法。通过在硅单晶材料的表面移动单晶硅探棒，测量探棒接触的不同点的电阻率，由此推断出材料内部掺杂物的浓度变化。

这种监测方法具有非破坏性、直观性、灵敏度高等优点，可以较为准确地判断制备出的硅单晶材料的质量。在半导体和光电领域中应用较为广泛。